一、硅的刻蚀
刻蚀硅分为两大类型，一类就是上 提到的博世工艺，采用钝化和刻蚀两种工艺循环进行；另外一种就是连续进行的工艺。但两种类型的工艺气体主要还是采用SF6，通过F自由基对硅进行刻蚀。刻蚀反应式：
3Si+2SF6+2O2→3SiF4↑+2SO2↑
二、二氧化硅的刻蚀
使用CHF3作为刻蚀气体，含碳量低的二氧化硅刻蚀速率快，含碳量多的二氧化硅（如使用TEOS热分解，通过低压化学气相沉积法制备的二氧化硅）则慢，其方程式为：
3SiO2+4CHF3→3SiF4↑+4CO↑+2H2O↑
当反应室通入CHF3时，在辉光放电中发生化学反应为：
CHF3+e→CHF2++F（游离基）+2e
生成的F原子到达SiO2表面时，发生的反应为：
SiO2 +4F→3SiF4↑+O2↑
SiO2分解出来的氧离子在高压下与CHF2+集团反应，生成CO、CO2、H2O等多种挥发性气体，完成对SiO2的刻蚀。
三、氮化硅的刻蚀
使用CF4作为刻蚀气体，其反应方程式为：
Si3N4+12CF4→3SiF4↑+2N2↑+12CF3↑
四、铝的刻蚀
纯铝使用氯等离子体即可以进行刻蚀，然而所有的铝表面都有一层氧化物，氯不能刻蚀这层表面，可以添加BCl3增加溅射量以去除表面的氧化层。刻蚀铝必须采用单独或完全清洁的反应室，不能用刻蚀过硅的反应室直接刻蚀铝，这样容易互相污染。在硅刻蚀过程中，氟基残留物中的氟与铝反应生成氟化铝，不能被氯等离子所刻蚀；而刻蚀过铝之后的反应室残留的氯化铝会在氟基等离子环境中形成氟化铝粉末落在样品表面，造成污染。铝的刻蚀反应方程为：
2Al+3Cl2→2AlCl3↑
五、光刻胶的去除
虽然光刻胶种类比较多，但基本上都是碳氢化合物，可以在氧等离子体中进行刻蚀，其反应方程式为：
4CxHy+(y+4x)O2→4xCO↑+2yH2O↑
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