现在ASML最先进的7纳米光刻机，是用技术紫外线光刻晶圆硅片。
在近日公开的知识产权发明专利中，我们突然发现了一个已公开的发明专利 “原子层刻蚀设备和原子层刻蚀方法”。
我们知道稀有气体或惰性气体是元素周期表上的18族元素，包括氦（He）氖（Ne）氩（Ar）氪（Kr）氙（Xe）氡（Rn）和气奥（Og）。 这里我们以氩原子为例，氩原子的直径0.142纳米。
我们可以大胆猜想，如果该方法及设备可以得到进一步完善，那么我国芯片技术是否将会直接步入皮米(PM)级别？
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